- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/40 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 51/40
Brevets de cette classe: 51
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
26 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
11 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
3 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
3 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
2 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
1 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 3906 |
1 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
1 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |